Výrobca Číslo produktu:
TSM60NB600CH C5G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM60NB600CH C5G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
12898747
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
OUF6
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM60NB600CH C5G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
516 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
TSM60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
TSM60NB600CHC5G
TSM60NB600CH C5G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM60NB600CH
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TSM60NB600CH-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.43
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IPS80R600P7AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPS80R600P7AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BS107PSTOA
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
TSM60NB260CI C0G
MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB
TSM7N65ACI C0G
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
